一、依教育部115年6月12日臺教资(二)字第1152701610号函办理。
二、本徵件须知旨為因应全球半导体技术快速演进及高阶人才需求，将强化大学电机、电子及资讯等电资领域於超大型积体电路(以下简称VLSI)教学能量，透过教学设备建置与升级，补强课程缺口，推动基础至进阶课程系统化开设，建构完整课程地图，并优化教学环境及实作教学机制，以提升教学品质，培育兼具理论与实务能力之IC设计人才，巩固我国半导体技术竞争优势。
叁、徵件须知及相关附件(含计画申请书格式)可於教育部网站(首页/认识教育部/本部各单位/资讯及科技教育司/电子布告栏)或本计画网站：https://proj.moe.edu.tw/aicd2024/ 下载。
四、教育部订於115年7月1日(叁)下午2时举办徵件说明会，地点：国立臺湾大学电机二馆1楼142会议室，报名表单：https://forms.gle/kbQoUDs6wsqUjtRu8，鼓励相关系所教师参加。
五、提出计画申请前，应依校内程序完成资源整合，每校至多以申请1案為原则。有意申请者，请於115年7月8日前以E-mail会知研发处(rene@mail.cgu.edu.tw)。
六、本计画為部分补助，每校补助额度最高300万元，学校自筹经费比例不得少於教育部补助经费10%，经常门费用不得高於教育部补助经费30%，资本门费用不得低教育部补助经费70%為原则。
七、申请流程及时间：(如有特殊情形，建议事先与研发处计画联络人确认，避免延误及影响计画申请)
(一)请於115年7月20日上午9时前填写「长庚大学申请研究计画提报表」(请至校务资讯系统(颈颁骋鲍)/线上核签系统申请，另併附申请资料)，呈系所主任→院长→研发处→校长室→主持人完成核签。计画需经蹿濒辞飞系统签准完成后始可送件申请。
(二)请将计画书电子档E-mail至 rene@mail.cgu.edu.tw。
(叁)请於115年7月24日前至线上申请表单：https://forms.gle/zEcgd37jcaThWCiv7，完成线上申请及用印后计画书上传作业，逾期未完成线上申请及计画书电子档上传者，不予受理。
八、注意事项：有关课程发展等计画，申请单位请先与教务处协调报备，依规定申请开课事宜。
九、联络人：先进製程IC设计人才培育计画子计画2办公室李子凡小姐，电话：(02)3366-1802。
※敬请各研究计画之参与人员，在申请计画或从事研究时，应确实遵守智慧财产权与学术伦理之规定。
※申请案经核定后，经费结报务请依本校及教育部补助及委办经费核拨结报作业要点规定办理。
公告单位：研发处
承 辦 人：葉美君 (分機 5014)