第叁届次世代电子国际研讨会会议纪实
電子系 王哲麒副教授
第叁届次世代电子国际研讨会「The 3rd International Symposium on Next-Generation Electronics 2014，ISNE 2014」於 5 月 7 日至 10 日假本校国际会议厅举行。本次会议有来自 11 个国家，385 篇论文投稿以及超过 450 人参与，為国内少数之大型国际研讨会。
此会议先前已於中山大学与义守大学举办过两届会议，今年由本校主办，并与国际电子电机工程师学会 ( IEEE ) 协办，同时签署相关合作协定 ( MOU )，本次特别延伸且扩大举办，以促进下一世代电子技术的研究与交流。
本次会议的主题除了原有五大领域外：「Design/CAD for Integrated Circuits and Systems」「Solid‐State Technologies and Devices」、「Opto‐electronics」、「Smart‐grid and Green Electronics」、「Information and Computing」，另外加入有关能源电子「Power Electronics」、高速电子「High Speed Materials and Devices」、高频通信「High Frequency Electronics」、生医电子「Bio‐medical Electronics」、记忆体「惭别尘辞谤颈别蝉」、软性电子「Organic and Flexible Electronics」、透明电子「Transparent and Metal Oxide Electronics」、电浆子元件「Plasmonic and Nanophotonic Devices」、薄膜感测器「Thin Film Materials and Sensors」、元件模拟与模型「Device Simulation and Modeling」、叁维晶片「3D ICs」及功能性材料与元件「Functional Materials and Devices」等共 18 個領域的研究討論與交流。為了吸引世界各國在電子電機、材料、物理、化學、與醫學等領域的研究者與會，大會特別邀請在這些領域學有專精 的專家學者舉行 151 场演讲，包括 2 場短期课程、5 场大会演讲、144 场邀请与口头演讲。此外，再分成 3 梯次共 264 篇壁报展示及口头短报告。為了鼓励学生参与，大会亦安排最佳学生论文竞赛。
在 5 场大会演讲部分，本次会议特别邀请在半导体领域极具份量的中央研究院院士萨支唐教授 ( Prof. C. T. Sah ) 前来演讲，萨教授从事第一代硅基二极体、金氧半场效电晶体 ( MOS ) 和积体电路的製造研究，是半导体工业的先驱，也是诺贝尔奖的候选人之一。為了肯定萨教授在半导体领域上的成就，大会特别颁发卓越教育贡献奖，另外，也邀请中研院应用科学研究中心蔡定平主任演讲有关电浆子方面的研究、美国 NASA 研究中心的 Dr. Meyya Meyyappan 前来介绍奈米技术的未来发展。此外，大会也很荣幸地邀请到东京工业大学细野秀雄教授 ( Prof. Hideo Hosono ) 前来讲述有关透明氧化物的发展，他是世界铁基超导体的佼佼者、金属氧化物薄膜电晶体的发明者，也是诺贝尔奖的候选人之一。最后，大会特别邀请林口长庚医院外科部魏国珍副主任分享脑部药物传输及分子标的之奈米医学研究。本次会议的大会演讲极為精彩，吸引了许多产学人士前来聆听，也都获得相当丰富的收穫。
綜觀本次次世代電子國際研討會，為本校工學院獨立舉辦之國際研討會，其之所以能夠吸引那麼多論文投稿與研究者參與，實在是仰賴國內外許多學者與研究機構的大力支持；當然，學校的 資源投入與協助也是本次大會能圓滿成功的重要關鍵。一個國際研討會的舉辦，可以大大地提升學校的國際能見度，也可以了解到學術研究與產業發展的脈動與趨勢，對於所有的與會者均具有相當大的助益與啟迪。